Samsung & Toshiba bilden Joint Venture für schnelleren Flashspeicher

Samsung und Toshiba haben sich zusammengetan, um gemeinsam an einer neuen Spezifikation für NAND-Speicher zu arbeiten.

Grundlage für die neue Spezifikation soll die DDR2 Spezifikation sein. Bisher setzte Samsung für ihren Toggle-DDR noch auf die Spezifikation von DDR Speicher. Die Verwendung von DDR2 als Grundlage sollte die theoretische Bandbreite gegenüber der älteren Variante um ein Vielfaches steigern.

Toggle DDR provides a faster interface than conventional NAND using an asynchronous design, delivering the benefits of high-speed data transfer to a wider market, such as for solid state drive (SSD) applications including enterprise storage, mobile phones, multimedia terminals and consumer products.

Masaki Momodomi of Toshiba

Vergleicht man die theoretische Geschwindigkeit von dem was Samsung und Toshiba planen, mit den derzeitig verfügbaren SSD auf SDR NAND Speicher, so soll die mögliche Bandbreite von 40 Mbps auf bis zu 400 Mbps steigern.

Wann unsereins jedoch hiervon profitieren wird, das steht noch in der Sternen. Beider Firmen versuchen sich jetzt vorerst an der Spezifikation der Technologie über die JEDEC Solid State Technology Association.