Samsung stellt NAND-Speicher in 20nm-Fertigung vor

Samsung präsentiert neue Speicherchips vom Typ NAND zur Verwendung für SD-Speicherkarten, die im 20nm (Nanometer) Strukturbreite gefertigt sind. Die Chips haben eine Speicherkapazität von 32 GBit, was 4 Gigabyte entspricht. Bisher fertigt Samsung die Chips in 30nm Strukturbreite.

Neben den geringeren Herstellungskosten aufgrund der geringeren Größe, die mehr Chips je Wafer erlaubt (Samsung gibt 50% höhere Produktivität an), bieten die neuen Chips noch einen weiteren Vorteil: sie sollen bis zu 30 % schneller sein als ihre Vorgänger. Das bedeutet eine Lesegeschwindigkeit von 20MB/s und eine Schreibgeschwindigkeit von 10MB/s.

Samsung möchte auf Grundlage der neuen 20nm-Chips Speicherkarten mit bis zu 64 GB ermöglichen.

Quelle: http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1145